華虹半導(dǎo)體有限公司日前宣布其第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。此次量產(chǎn)的第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點(diǎn)嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。更明顯的面積優(yōu)勢(shì)，使得芯片整體面積進(jìn)一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。此外，其光罩層數(shù)也隨之進(jìn)一步減少，有效縮短了流片周期。
華虹方面介紹，第三代工藝平臺(tái)的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。
資料顯示，華虹在上海金橋和張江建有三座200mm晶圓廠，月產(chǎn)能17.5萬(wàn)片；同時(shí)在無(wú)錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)在建一條月產(chǎn)能4萬(wàn)片的300mm集成電路生產(chǎn)線。華虹執(zhí)行副總裁孔蔚然表示：“華虹是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來(lái)將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場(chǎng)，同時(shí)不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)向300mm延伸，更好地服務(wù)國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)公司，滿足市場(chǎng)需求。”
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