鎧俠研發團隊憑開創性BiCS FLASH 3D閃存技術獲此殊榮
NAND閃存的發明者鎧俠株式會社榮獲2024年FMS（Future of Memory and Storage，全球閃存峰會）終身成就獎。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido、Hiroyasu Tanaka組成的鎧俠工程團隊，將接受這一殊榮，以表彰其在3D閃存技術研發與商業化方面的開創性貢獻。此項突破性技術已廣泛應用于各類計算應用中，包括智能手機、個人電腦、固態硬盤、數據中心、星空人工智能及工業領域。
2007年，鎧俠在VLSI（超大規模集成電路）研討會上提出了BiCS FLASH 3D閃存技術的概念。自推出原型機之后，鎧俠持續深耕，不斷優化該技術以實現量產目標，并最終于2015年在全球首次成功推出256Gb 48層3D閃存產品。
“鎧俠在3D閃存領域的革新之舉，徹底顛覆了數據存儲的傳統格局，將其從現有的技術進步升華為滿足現代計算需求的突破性解決方案，”FMS主席Chuck Sobey高度評價道，“我們十分高興能夠在會上展示這一重要貢獻，并對它未來的發展充滿期待。”
憑借獨特的3D堆疊結構，BiCS FLASH技術不僅提升了存儲容量與性能，更在存儲行業內掀起了變革浪潮。該技術實現了更高密度的存儲解決方案，同時保持了可靠性和效率，顯著增強了數據中心、消費類電子產品和移動設備的能力，并為閃存技術樹立了新標準。該技術在保持高可靠性與效率的同時，實現了更高密度的存儲解決方案，極大增強了數據中心、消費電子產品及移動設備的性能，樹立了閃存技術的新標桿。通過垂直堆疊技術，鎧俠的BiCS FLASH技術成功突破了平面NAND閃存的局限性，為存儲解決方案的未來發展開辟了廣闊道路，進一步鞏固了鎧俠在業內的領軍地位。
第八代BiCS FLASH™電子顯微鏡掃描圖像 ©IEEE 2023
“鎧俠在3D閃存技術領域的創新成果不容小覷，”鎧俠株式會社內存部門副總裁兼技術執行官Atsushi Inoue先生表示，“我們的技術不僅開創了行業新范式，更實現了閃存單元、芯片及封裝存儲密度的顯著提升。我深感自豪，我們的努力與成就得到了業界的廣泛認可，并期待在未來繼續見證這一技術的深遠影響。”
“我的鎧俠工程師伙伴們，在技術探索的征途上不僅是靈感的燈塔，更以持續的創新與對同僚的鼎力支持，踐行著推動行業前行的承諾，”鎧俠株式會社高級內存開發中心高級研究員Ryota Katsumata感慨道。“我們的努力，不僅結出了深遠的果實，更在業界播撒了創新與協作精神的種子。見證這份領導力和公司遠見得到認可，實為幸事。”
該3D閃存技術還榮獲了2020年日本“全國發明表彰計劃”的帝國發明獎，并相繼摘取2023年日本文部科學省頒發的“科學技術表彰”中的科學技術獎，以及2021年IEEE安迪·S·格魯夫（Andrew S. Grove）獎的桂冠。
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